Enhancement of Excitonic Valley Polarization by Carrier Doping in Monolayer WSe2
Enhancement of Excitonic Valley Polarization by Carrier Doping in Monolayer WSe2
复制标题
单层 WSe2 中载流子掺杂增强激子谷极化
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松田 一成
中科院分区：
文献类型：
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作者：
篠北 啓介;王 暁凡;宮内 雄平;渡邊 賢司;谷口 尚;松田 一成
影响因子：
10.8
作者：
Weihuang Yang;J. Shang;Jianpu Wang;X. Shen;B. Cao;N. Peimyoo;C. Zou;Yu Chen;Yanlong Wang
通讯作者：
Weihuang Yang;J. Shang;Jianpu Wang;X. Shen;B. Cao;N. Peimyoo;C. Zou;Yu Chen;Yanlong Wang