High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (~20 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization
High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (~20 nm) on Insulator by Interface-Modulated Solid-Phase Crystallization
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通过界面调制固相结晶在绝缘体上形成高载流子迁移率的 Sn 掺杂 Ge 薄膜 (~20 nm)
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Taizoh Sadoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masanori Chiyozono;Xiangsheng Gong;Taizoh Sadoh
