Scaling theory of the Mott-Hubbard metal-insulator transition in one dimension.
Scaling theory of the Mott-Hubbard metal-insulator transition in one dimension.
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一维莫特-哈伯德金属-绝缘体转变的标度理论。
DOI：
10.1103/physrevb.48.1409
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. J. Millis
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. A. Stafford;A. J. Millis
用Bethe刚度方程计算装药刚度Dc =（L/2）d2 E0/dΦ c2|一维排斥相互作用哈伯德模型的Φc=0，电子密度接近于每格点一个电子的莫特绝缘值（n=1），其中E0是基态能量，L是系统的周长（假设具有周期性边界条件），（hc/e）Φ c是封闭的磁通量。我们得到了当n=1时，当L→∞时，Dc（L）的渐近形式的一个精确结果，它定义并给出了模型Mott绝缘相关联长度λ作为在位排斥U的函数的解析表达式
We have the Bethe ansatz equations to calculate the charge stiffness D c =(L/2)d 2 E 0 /dΦ c 2 | Φc=0 of the one-dimensional repulsive-interaction Hubbard model for electron densities close to the Mott insulating value of one electron per site (n=1), where E 0 is the ground-state energy, L is the circumference of the system (assumed to have periodic boundary conditions), and (hc/e)Φ c is the magnetic flux enclosed. We obtain an exact result for the asymptotic form of D c (L) as L→∞ at n=1, which defines and yields an analytic expression of the correlation length ξ in the Mott insulating phase of the model as a function of the on-site repulsion U
农业生物化学49-12。
DOI：
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通讯作者：
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