Lateral over-growth of 3C-SiC on patterned Si(111) substrates
Lateral over-growth of 3C-SiC on patterned Si(111) substrates
复制标题
3C-SiC 在图案化 Si(111) 衬底上的横向过度生长
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Masuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Nishino;C.Jacob;Y.Okui;S.Ohshima;Y.Masuda
