Hf/SiO_2/Si構造のプラズマ酸化とPDAを用いたhigh-kゲート絶縁膜の形成
Hf/SiO_2/Si構造のプラズマ酸化とPDAを用いたhigh-kゲート絶縁膜の形成
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利用等离子体氧化Hf/SiO_2/Si结构和PDA形成高k栅绝缘膜
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中島 寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
末廣 雄策;杉本 陽平;梶原 誠生;王 冬;中島 寛
