Resist thickness dependence of latent images in chemically amplified resists used for electron beam lithography
Resist thickness dependence of latent images in chemically amplified resists used for electron beam lithography
复制标题
用于电子束光刻的化学放大抗蚀剂中潜像的抗蚀剂厚度依赖性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kozawa and T. Tamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gao Yunpeng;Feng Chi;Seo Tamae;Kubota Koji;Ito Hajime;T. Kozawa and T. Tamura
