Anisotropic giant magnetoresistance in NbSb2.
Anisotropic giant magnetoresistance in NbSb2.
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DOI：
10.1038/srep07328
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发表时间：
2014-12-05
影响因子：
4.6
通讯作者：
Petrovic C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang K;Graf D;Li L;Wang L;Petrovic C
新型材料输运性质的磁场响应以及由此产生的大磁阻效应具有广泛的科学意义和应用价值。我们报道了NbSb2单晶的大的横向磁阻(在2 K和9 T场下的磁阻比约为1.3×105%，在0.4 K和32 T场下的磁阻比为4.3×106%，未饱和)和场致金属-半导体类相变。磁阻被显著抑制，但当电流沿交流平面时，类似金属-半导体的转变仍然存在。场中霍尔电阻率和Seebeck系数的符号反转以及电子结构揭示了少量具有很高迁移率的空穴和大量具有低迁移率的电子的共存。除了高迁移率金属的轨道磁流变外，较大的磁流变还归因于与类狄拉克点有关的磁场引起的费米面的变化。
The magnetic field response of the transport properties of novel materials and then the large magnetoresistance effects are of broad importance in both science and application. We report large transverse magnetoreistance (the magnetoresistant ratio ~ 1.3 × 105% in 2 K and 9 T field, and 4.3 × 106% in 0.4 K and 32 T field, without saturation) and field-induced metal-semiconductor-like transition, in NbSb2 single crystal. Magnetoresistance is significantly suppressed but the metal-semiconductor-like transition persists when the current is along the ac-plane. The sign reversal of the Hall resistivity and Seebeck coefficient in the field, plus the electronic structure reveal the coexistence of a small number of holes with very high mobility and a large number of electrons with low mobility. The large MR is attributed to the change of the Fermi surface induced by the magnetic field which is related to the Dirac-like point, in addition to orbital MR expected for high mobility metals.
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