MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -
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MOS界面单缺陷电荷泵浦可直接观察两性能级电子俘获过程(7) - τD讨论 -
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小野行徳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
土屋敏章;堀匡寛;小野行徳
