METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF A HIGH-QUALITY GAN FILM USING AN AIN BUFFER LAYER
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DOI：
10.1063/1.96549
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发表时间：
1986-02-03
影响因子：
4
通讯作者：
TOYODA, Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
AMANO, H;SAWAKI, N;TOYODA, Y
