Structural Variations and Bonding Analysis of the Rare-Earth Metal Tellurides RETe1.875±δ (RE = Ce, Pr, Sm, Gd; 0.004 ≤ δ ≤ 0.025).
Structural Variations and Bonding Analysis of the Rare-Earth Metal Tellurides RETe1.875±δ (RE = Ce, Pr, Sm, Gd; 0.004 ≤ δ ≤ 0.025).
复制标题
稀土金属碲化物 RETe1 875±δ 的结构变化和成键分析 (RE = Ce, Pr, Sm, Gd; 0 004 ≤ δ ≤ 0 025)
DOI：
10.1021/acs.inorgchem.1c01230
复制
发表时间：
2021
影响因子：
4.6
通讯作者：
Th. Doert
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Poddig;P. Gebauer;K. Finzel;K. Stöwe;Th. Doert
用碱金属卤化物助熔剂和化学输运反应生长了RETe 1.875 ±δ（RE= Ce，Pr，Sm，Gd; 0.004 ≤ δ ≤ 0.025）晶体。晶体结构在空间群Amm 2中描述（no.38），CeTe 1.87（1）的晶格参数为a = 13.3729（5），B= 17.7918（5），c= 18.1561（4）（T= 100 K），对于PrTe 1.85（1），a= 13.271（2）Ω，B= 17.747（3）Ω，c= 18.160（3）Ω（T= 100 K），对于SmTe 1.87（1），a= 13.1251（6）Ω，B= 17.4269（8）Ω，c= 17.8808（8）Ω（T= 100 K），anda= 13.1762（4）Ω，B= 17.4995（5）Ω，c= 17.9591（5）Ω.该结构包含褶皱[RETe]板和平面[Te]层的交替堆叠。后者是由小的阴离子实体，如Te 2-和Te 22-，沿着与一个大的阴离子八元Te环，支持基于电子局域化指标的键分析GdTe 1.875的有序模型。个别化合物的略微不同的模式表明相当大的结构灵活性。随温度变化的电阻测量证实了PrTe 1.875 ±δ和GdTe 1.875 ±δ的半导体行为（磁性数据证明了RE 3+和CeTe 1.875 ±δ在TN = 4 K和GdTe 1.875 ±δ在TN = 11 K时的反铁磁转变），而PrTe 1.875 ±δ和SmTe 1.875 ±δ在低至2 K时没有长程有序。
Crystals ofRETe1.875±δ(RE= Ce, Pr, Sm, Gd; 0.004 ≤ δ ≤ 0.025) were grown using alkali halide flux and chemical transport reactions. The crystal structures are described in space groupAmm2 (no. 38), with lattice parameters ofa= 13.3729(5) Å,b= 17.7918(5) Å,c= 18.1561(4) Å for CeTe1.87(1)(T= 100 K),a= 13.271(2) Å,b= 17.747(3) Å,c= 18.160(3) Å for PrTe1.85(1)(T= 100 K),a= 13.1251(6) Å,b= 17.4269(8) Å,c= 17.8808(8) Å for SmTe1.87(1)(T= 100 K), anda= 13.1762(4) Å,b= 17.4995(5) Å,c= 17.9591(5) Å for GdTe1.88(1)(T= 296 K). The structures contain alternating stacks of puckered [RETe] slabs and planar [Te] layers. The latter are composed of small anionic entities, such as Te2–and Te22–, along with a large anionic eight-membered Te ring, as supported by electron localizability indicator-based bond analysis for an ordered model of GdTe1.875. Slightly different patterns for individual compounds indicate a considerable structural flexibility. Temperature-dependent resistance measurements confirm semiconducting behavior for PrTe1.875±δand GdTe1.875±δ(magnetic data evidenceRE3+and an antiferromagnetic transition atTN= 4 K for CeTe1.875±δandTN= 11 K for GdTe1.875±δ), whereas PrTe1.875±δand SmTe1.875±δshow no long-range order down to 2 K.
登录
查看更多内容
稀土金属聚碲化物RETe1 8(RE= Gd, Tb, Dy) - 定向合成、晶体和电子结构以及键合特性
DOI：
10.1002/zaac.201800382
发表时间：
2018
期刊：
Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie
影响因子：
--
作者：
H. Poddig;T. Donath;P. Gebauer;K. Finzel;M. Kohout;P. Schmidt;Th. Doert
通讯作者：
Th. Doert
RESe1.9(RE=Ce,Pr)的制备及晶体结构
DOI：
--
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Plambeck;W. Abriel;W. Urland
通讯作者：
W. Urland
Die Seltenerdmetalpolyselenide Gd8Se15, Tb8Se15−x, Dy8Se15−x, Ho8Se15−x, Er8Se15−x 和 Y8Se15−x (0 < x ≤ 0.3) – Zunehmende Fehlordnung in ausgedünnten, planaren Selenschichten
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Doert;Enkhtsetseg Dashjav;B. P. T. Fokwa
通讯作者：
B. P. T. Fokwa
影响因子：
2.2
作者：
Kohout, M
通讯作者：
Kohout, M
Pr2Se3–PrSe2 系统：研究 PrSe1.85 的相关系和调制晶体结构
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Doert;C. Graf;P. Schmidt;I. G. Vasilieva;P. Simon;W. Carrillo‐Cabrera
通讯作者：
W. Carrillo‐Cabrera