自己整合四端子平面型メタルダブルゲート 低温poly-Si TFTを利用したCMOSインバータの検討
自己整合四端子平面型メタルダブルゲート 低温poly-Si TFTを利用したCMOSインバータの検討
复制标题
采用自对准四端平面金属双栅低温多晶硅TFT的CMOS反相器研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
原明人（講演奨励賞受賞）
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
大澤弘樹;原明人（講演奨励賞受賞）
