A 60pJ, 3-Clock Rising Time, VTH Loss Compensated Word-Line Booster Circuit for 0.5V Power Supply Embedded/Discrete DRAMs
A 60pJ, 3-Clock Rising Time, VTH Loss Compensated Word-Line Booster Circuit for 0.5V Power Supply Embedded/Discrete DRAMs
复制标题
适用于 0.5V 电源嵌入式/分立 DRAM 的 60pJ、3 时钟上升时间、VTH 损耗补偿字线升压电路
DOI：
10.1109/imw.2009.5090572
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Takeuchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shuhei Tanakamaru;K. Takeuchi
提出了一种适用于0.5V嵌入式和分立式DRAM的低功耗高速字线升压器。与传统的升压器相比，在相同的电路面积下，上升时间和功耗分别为25%和48%。
A low power high-speed word-line booster is proposed for 0.5 V operation embedded and discrete DRAMs. Compared with the conventional boosters, the rising time and the power consumption are 25% and 48%, respectively, with the same circuit area.