EUV Resist Process Performance Investigations on the NXE3100 Full Field Scanner
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NXE3100 全场扫描仪的 EUV 光刻胶工艺性能研究
DOI：
10.2494/photopolymer.25.559
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发表时间：
2012
影响因子：
0.8
通讯作者：
I. Pollentier
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Goethals;P. Foubert;Koh Hosokawa;F. V. Roey;A. Niroomand;D. V. D. Heuvel;I. Pollentier
