n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺
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DOI：
10.11972/j.issn.1001-9014.2016.01.009
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发表时间：
2016
期刊：
红外与毫米波学报
影响因子：
--
通讯作者：
龚海梅
龚海梅
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
石铭;邵秀梅;唐恒敬;李淘;黄星;曹高奇;王瑞;李平;李雪;龚海梅

文献摘要

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采用ICP刻蚀（inductively coupled plasma etching）工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD（inductively coupled plasma chemical vapor deposition）沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电