Effect of Schottky barrier height on quantitative analysis of deep-levels in n-type GaN by deep-level transient spectroscopy
Effect of Schottky barrier height on quantitative analysis of deep-levels in n-type GaN by deep-level transient spectroscopy
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肖特基势垒高度对深能级瞬态光谱定量分析n型GaN深能级的影响
DOI：
10.1063/5.0073747
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
J. Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keito Aoshima;M. Horita;J. Suda
