Flat-band voltage shift in metal-gate/high-k/Si stacks
Flat-band voltage shift in metal-gate/high-k/Si stacks
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DOI：
10.1088/1674-1056/20/9/097303
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发表时间：
2011
影响因子：
1.7
通讯作者：
An-Ping 安平 Huang 黄;X. Zheng 郑;Z. Xiao 肖;Z. Yang 杨;M. Wang 王;K. Paul 朱;X. Yang 杨
中科院分区：
文献类型：
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作者：
An-Ping 安平 Huang 黄;X. Zheng 郑;Z. Xiao 肖;Z. Yang 杨;M. Wang 王;K. Paul 朱;X. Yang 杨
在45 nm技术节点采用的金属栅极/高k堆叠中，平带电压（Vfb）漂移仍然是最关键的挑战之一，特别是具有超薄氧化层的p沟道金属氧化物半导体（pMOS）器件中的平带电压滚降（Vfb滚降）现象。本文综述了金属栅极/高 k pMOS 堆栈中 Vfb 漂移和 Vfb 滚降起源研究的最新进展。总结了缓解Vfb漂移现象的方法并展望了未来的研究趋势。
In metal-gate/high-k stacks adopted by the 45 nm technology node, the flat-band voltage (Vfb) shift remains one of the most critical challenges, particularly the flat-band voltage roll-off (Vfb roll-off) phenomenon in p-channel metal-oxide-semiconductor (pMOS) devices with an ultrathin oxide layer. In this paper, recent progress on the investigation of the Vfb shift and the origin of the Vfb roll-off in the metal-gate/high-k pMOS stacks are reviewed. Methods that can alleviate the Vfb shift phenomenon are summarized and the future research trend is described.