Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation
Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation
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利用表面氮化增强氮掺入生长 GaAsN 量子阱
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Wakahara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Urakami;H. Ito;H. Sekiguchi;H. Okada;A. Wakahara
