ナノデバイスのシミュレーョン：なぜ、モンテカルロ法か？
ナノデバイスのシミュレーョン：なぜ、モンテカルロ法か？
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纳米器件模拟：为什么采用蒙特卡罗方法？
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐野 伸行
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Takahashi;H . Takenaka;T. Uchida;M. Arita;A. Fujiwara;and H. Inokaw;佐野 伸行
