Effect of sapphire substrate nitridation on determining rotation domain in GaN growth
Effect of sapphire substrate nitridation on determining rotation domain in GaN growth
复制标题
蓝宝石衬底氮化对确定 GaN 生长旋转域的影响
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)02114-5
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. Suzuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yamaguchi;T. Araki;Y. Saito;K. Kano;H. Kanazawa;Y. Nanishi;N. Teraguchi;A. Suzuki
