T. Ushiki, M. C. Yu, Y. Hirano, H. Shimada, M. Morita, and T. Ohmi: "Reliable Tantalum Gate Fully-Depleted-SOIMOSFET's with 0.15μm Gate Length by Low-Temperature Processing below 500℃" TECHNICAL DIGEST, THE IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICE MEETING. 117-
T. Ushiki, M. C. Yu, Y. Hirano, H. Shimada, M. Morita, and T. Ohmi: "Reliable Tantalum Gate Fully-Depleted-SOIMOSFET's with 0.15μm Gate Length by Low-Temperature Processing below 500℃" TECHNICAL DIGEST, THE IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICE MEETING. 117-
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T. Ushiki、M. C. Yu、Y. Hirano、H. Shimada、M. Morita 和 T. Ohmi：“通过低于 500℃ 的低温处理实现栅极长度为 0.15μm 的可靠钽栅极全耗尽型 SOIMOSFET”技术摘要， IEEE 国际电子设备会议。117-
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