Estimation of the Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of the Carrier Lifetime, in n-type 4H-SiC Epilayers
Estimation of the Surface Recombination Velocity from Thickness Dependence of the Carrier Lifetime, in n-type 4H-SiC Epilayers
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根据载流子寿命的厚度依赖性估算 n 型 4H-SiC 外延层中的表面复合速度
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaya Ichimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masashi Kato;Atsushi Yoshida;Masaya Ichimura
