A Physics Based Analytic Model for Gate All Around MOSFETs with SiO2-Core Si-Shell Architecture
A Physics Based Analytic Model for Gate All Around MOSFETs with SiO2-Core Si-Shell Architecture
复制标题
基于物理的 SiO2 核硅壳架构全栅 MOSFET 分析模型
DOI：
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发表时间：
2016
影响因子：
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通讯作者：
Lei Song
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wei Zhao;Wengping Wang;Ping He;Lei Song
