2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド化
2stepアニールを用いた酸化膜中のSiナノワイヤへのNiシリサイド化
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使用两步退火在氧化膜中将镍硅化物形成硅纳米线
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岩井洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
茂森直登;新井英朗;佐藤創志;角嶋邦之;アヘメトパールハット;西山彰;筒井一生;杉井信之;服部健雄;岩井洋
