Light emitting semiconductor devices with getter layer
Light emitting semiconductor devices with getter layer
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具有吸气层的发光半导体器件
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.F.C.谢曼恩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
U.维奇曼恩;J.S.科布;A.P.恩格哈德特;H.梅恩奇;M.F.C.谢曼恩
本发明描述了一种发光半导体器件（100），包括衬底（120）、发光层结构（155）和用于减少发光层结构（155）中的杂质的AlGaAs吸收剂层（190），发光层结构（155）包括有源层（140）和铝含量变化的层，其中所述发光层结构（155）的包括铝的层的生长条件与所述AlGaAs吸收剂层（190）的生长条件相比是不同的。AlGaAs吸收剂层（190）能够降低沉积设备或生长反应器的气相中的杂质（如硫等）的浓度。这种杂质的减少降低了杂质掺入发光层结构（155）中的可能性，该杂质掺入发光层结构（155）中可能影响发光半导体器件（100）的寿命。生长条件选自砷分压、氧分压、沉积温度、总沉积压力和铝的沉积速率。本发明还涉及制造这种发光半导体器件（100）的相应方法。
The invention describes a light emitting semiconductor device (100) comprising a substrate (120), a light emitting layer structure (155) and an AlGaAs getter layer (190) for reducing an impurity in the light emitting layer structure (155), the light emitting layer structure (155) comprising an active layer (140) and layers of varying Aluminum content, wherein the growth conditions of the layers of the light emitting layer structure (155) comprising Aluminum are different in comparison to the growth conditions of the AlGaAs getter layer (190). The AlGaAs getter layer (190) enables a reduction of the concentration of impurities like Sulfur etc. in the gas phase of a deposition equipment or growth reactor. The reduction of such impurities reduces the probability of incorporation of the impurities in the light emitting layer structure (155) which may affect the lifetime of the light emitting semiconductor device (100). The growth conditions are chosen out of the group Arsenic partial pressure, Oxygen partial pressure, deposition temperature, total deposition pressure and deposition rate of Aluminum. The invention further relates to a corresponding method of manufacturing such a light emitting semiconductor device (100).