Electronic structure tuning of α-SrSi2 by isotropic strain and isoelectronic impurity incorporation: A first-principles study for enhancement of low-temperature thermoelectric performance
Electronic structure tuning of α-SrSi2 by isotropic strain and isoelectronic impurity incorporation: A first-principles study for enhancement of low-temperature thermoelectric performance
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通过各向同性应变和等电子杂质掺入调整 α-SrSi2 的电子结构：增强低温热电性能的第一性原理研究
DOI：
10.1063/5.0063506
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发表时间：
2021
影响因子：
3.2
通讯作者：
and Y. Imai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Shiojiri;T. Iida;M. Yamaguchi;N. Hirayama;and Y. Imai
