Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging
Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging
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通过多光子激发光致发光成像对 HVPE 生长的 n 型 GaN 衬底中的螺纹位错进行分类
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Katayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tsukakoshi;T. Tanikawa;M. Uemukai;R. Katayama
