InP buried growth of Si02 wires toward reduction of collector capacitance in HBT
InP buried growth of Si02 wires toward reduction of collector capacitance in HBT
复制标题
InP 掩埋生长 SiO2 线以减少 HBT 中的集电极电容
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Miyamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Miyamoto
