Siスペーサ層上の固相成長によるカーボン媒介Ge量子ドットの形成
Siスペーサ層上の固相成長によるカーボン媒介Ge量子ドットの形成
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通过在 Si 间隔层上固相生长形成碳介导的 Ge 量子点
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鷲尾 勝由
中科院分区：
文献类型：
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作者：
武島 開斗;伊藤 友樹;川島 知之;鷲尾 勝由
