High spatial resolution subsurface thermal emission microscopy
High spatial resolution subsurface thermal emission microscopy
复制标题
DOI：
10.1063/1.1758308
复制
发表时间：
2004-05-31
影响因子：
4
通讯作者：
Leblebici, Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ippolito, SB;Thorne, SA;Leblebici, Y
我们将数值增孔透镜技术应用于硅集成电路的亚表面热发射显微镜。我们在收集的光量和空间分辨率方面取得了改进，远远超出了传统的热发射显微镜的限制。我们实验证明，对于自由空间波长高达5微米的热成像，横向空间分辨率为1.4微米，纵向空间分辨率为7.4微米。(C)2004年美国物理研究所。
We apply the numerical aperture increasing lens technique to subsurface thermal emission microscopy of Si integrated circuits. We achieve improvements in the amount of light collected and the spatial resolution, well beyond the limits of conventional thermal emission microscopy. We experimentally demonstrate a lateral spatial resolution of 1.4 mum and a longitudinal spatial resolution of 7.4 mum, for thermal imaging at free space wavelengths up to 5 mum. (C) 2004 American Institute of Physics.