Anomalously high electron mobility in S-implanted n-type SiC
Anomalously high electron mobility in S-implanted n-type SiC
复制标题
注入 S 的 n 型 SiC 具有异常高的电子迁移率
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Matsuoka;M. Kaneko;and T. Kimoto
