R.Nakagawa: "InP Hot Electron Transistors with Reduced Emitter Width for Controllability of Collector Current by Gate Bias"International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. P1-14. (2004)
R.Nakagawa: "InP Hot Electron Transistors with Reduced Emitter Width for Controllability of Collector Current by Gate Bias"International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. P1-14. (2004)
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R.Nakakawa：“InP热电子晶体管，具有减小的发射极宽度，可通过栅极偏置控制集电极电流”，磷化铟及相关材料国际会议。
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