Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence
Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence
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使用多光子激发光致发光对宽禁带半导体进行无损缺陷表征
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Katayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tanikawa;M. Uemukai;R. Katayama
