International Technology Roadmap for Semiconductors 2003の要求清浄度について － シリコンウエハ表面と雰囲気環境に要求される清浄度, 分析方法の現状について －
International Technology Roadmap for Semiconductors 2003の要求清浄度について － シリコンウエハ表面と雰囲気環境に要求される清浄度, 分析方法の現状について －
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DOI：
10.11203/jar.19.177
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发表时间：
2004-09
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
裕幸 飯田;菊男 竹田;武利 藤本
中科院分区：
文献类型：
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作者：
裕幸 飯田;菊男 竹田;武利 藤本
本文描述了2003年国际半导体技术路线图对制造环境和硅片表面清洁度的要求。关于颗粒物的污染程度，与2001年的版本相比没有重大修改。对于活性炭，所需的有机污染物水平以c16h34表示，而不是以ch4表示。《晶圆片环境污染控制技术要求》表114概述了晶圆片表面分子污染物的水平，表面分子污染物是指晶圆片24小时暴露在fop、Pod、Mini-environment以及洁净室空气中的吸附量。讨论了近年来各种分析方法的检出限水平，并介绍了在载箱中暴露于空气中的硅片上的SMCs和在大气中的AMCs的分析结果。
This paper describes the cleanliness levels for the manufacturing environment and silicon wafer surface required by International Technology Roadmap for Semiconductors 2003. Concerning the contamination level for particles there is no significant revision from the 2001 version. As for AMCs, the required level of organic contaminants is expressed in terms of C 16 H 34 instead of CH 4. Table 114 of Technology Requirement for Wafer Environmental Contamination Control summarizes the levels of Surface Molecular Contaminants (SMCs) which are the adsorbed amounts of SMCs after 24-hour exposure of wafer to the air in FOUP (Front Opening Unified Pod), Pod, Mini-environment as well as clean room air. Recent levels of detection limits of various analytical methods are discussed, and the analysis results for both SMCs on silicon wafer exposed to the air in carrier case and the AMCs in the atmosphere are introduced.