HICUM parameter extraction methodology for a single transistor geometry
HICUM parameter extraction methodology for a single transistor geometry
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单一晶体管几何结构的 HICUM 参数提取方法
DOI：
10.1109/bipol.2002.1042899
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Ardouin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dominique Berger;D. Cell;Michael Schroter;M. Malorny;Thomas Zimmer;B. Ardouin
本文提出了一种准确和有效的提取方法的双极紧凑型模型的主要参数。所提出的流程被成功地应用到几个晶体管制造的各种先进的SiGe BiCMOS技术。
This paper presents an accurate and efficient extraction methodology for the main parameters of the bipolar compact model HICUM. The proposed flow was successfully applied to several transistors fabricated with various advanced SiGe BiCMOS technologies.