MOVPE growth and high-temperature annealing of (101¯0) AlN layers on (101¯0) sapphire
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.09.001
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发表时间：
2018-11
影响因子：
1.8
通讯作者：
D. V. Dinh;H. Amano;M. Pristovsek
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. V. Dinh;H. Amano;M. Pristovsek
