C-mediated Ge quantum dot growth on Si (100) substrate
C-mediated Ge quantum dot growth on Si (100) substrate
复制标题
Si (100) 衬底上 C 介导的 Ge 量子点生长
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Washio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Satoh;Y. Itoh;T. Kawashima;K. Washio
