Novel Epitaxial GaAs Lift-Off Approach via van der Waals Interface in In2Se3 Buffer Layer
Novel Epitaxial GaAs Lift-Off Approach via van der Waals Interface in In2Se3 Buffer Layer
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通过 In2Se3 缓冲层中范德华界面的新型外延 GaAs 剥离方法
DOI：
10.4229/eupvsec20172017-4cv.4.28
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masafumi Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nobuaki Kojima; Li Wang; Yoshio Ohshita; Masafumi Yamaguchi
