H. Takamiya: "Drastic modification of the growth mode of Ge quantum dots on Si by using boron adlayer"Thin Solid Films. (発表予定).
H. Takamiya: "Drastic modification of the growth mode of Ge quantum dots on Si by using boron adlayer"Thin Solid Films. (発表予定).
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H. Takamiya：“通过使用硼吸附层对 Si 上 Ge 量子点的生长模式进行彻底修改”固体薄膜（即将公布）。
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