M.Sakuraba, et al: "H-Termination of Ge(100) and Si(100) by Diluted HF Dipping and by Annealing in H_2" 5th Int.Symp.Cleaning Technology in Semicond,Derice Manufacturing. PV97-35(印刷中). (1997)
M.Sakuraba, et al: "H-Termination of Ge(100) and Si(100) by Diluted HF Dipping and by Annealing in H_2" 5th Int.Symp.Cleaning Technology in Semicond,Derice Manufacturing. PV97-35(印刷中). (1997)
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M.Sakuraba 等人：“通过稀释 HF 浸渍和 H_2 退火实现 Ge(100) 和 Si(100) 的 H 终止”第五届 Int.Symp. 半导体清洁技术，Derice Manufacturing。印刷））（1997）。
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