High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO 2 grown by High Pressure Oxidation
High Electron Mobility Ge n-Channel MOSFETs with GeO 2 grown by High Pressure Oxidation
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采用高压氧化生长的 GeO 2 的高电子迁移率 Gen n 沟道 MOSFET
DOI：
10.7567/ssdm.2009.b-7-1
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Lee;T. Nishimura;T. Tabata;K. Nagashio;K. Kita;A. Toriumi
