Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 gamma-ray irradiation
Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 gamma-ray irradiation
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Co-60 伽马射线照射下 InGaN 发光二极管发光峰红移的起源
DOI：
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
Lu, W.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Guo, Q.;Chen, C. Q.;Chen, Z. H.;Lu, W.
