Daisuke Sugihara et al.: "Suppression of inversion domain and decrease of threading dislocations in migration enhanced epitaxial GaN by RF-molecular beam epitaxy"Phisica Status Solidi. (印刷中).
Daisuke Sugihara et al.: "Suppression of inversion domain and decrease of threading dislocations in migration enhanced epitaxial GaN by RF-molecular beam epitaxy"Phisica Status Solidi. (印刷中).
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Daisuke Sugihara 等人：“通过射频分子束外延抑制迁移增强外延 GaN 中的反转域并减少螺纹位错”Phisica Status Solidi（出版中）。
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