Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto: "Fabrication of Nano-Scale Point Contact Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors Using Micrometer-Scale Design Rule"Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 38, No. 1B. 396-398 (1999)
Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto: "Fabrication of Nano-Scale Point Contact Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors Using Micrometer-Scale Design Rule"Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 38, No. 1B. 396-398 (1999)
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Hiroki Ishikuro 和 Toshiro Hiramoto：“使用微米级设计规则制造纳米级点接触金属氧化物半导体场效应晶体管”日本应用物理学杂志。
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