S.Suzuki,Y.G.Xie,T.Sawada and H.Hasegawa: "Application of Sillicon Interface Control Layer Technique to Fabrication of InGaAs Metal-Insulator-Semiconductor FETs" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Scmiconductor Interfaces(Karuizawa,Japan). to be published.(1
S.Suzuki,Y.G.Xie,T.Sawada and H.Hasegawa: "Application of Sillicon Interface Control Layer Technique to Fabrication of InGaAs Metal-Insulator-Semiconductor FETs" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Scmiconductor Interfaces(Karuizawa,Japan). to be published.(1
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S.Suzuki、Y.G.Xie、T.Sawada 和 H.Hasekawa：“Application of Sillicon Interface Control Layer Technique to Fabrication of InGaAs Metal-Insulator-Semiconductor FETs”Proc.of 1st Int.Symp.Control of Scmiconductor Interfaces（轻井泽，日本）
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