Three-dimensional dopant characterization in actual metal-oxide-semiconductor devices of 65 nm node by atom probe tomography.
Three-dimensional dopant characterization in actual metal-oxide-semiconductor devices of 65 nm node by atom probe tomography.
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通过原子探针断层扫描对 65 nm 节点的实际金属氧化物半导体器件中的三维掺杂剂进行表征。
DOI：
10.7567/apex.6.046502
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发表时间：
2013
影响因子：
2.3
通讯作者：
Y. Nagai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Inoue;H. Takamizawa;Y. Shimizu;T. Toyama;F. Yano;A. Nishida;T. Mogami;K. Kitamoto;T. Miyagi;J. Kato;S. Akahori;N. Okada;M. Kato;H. Uchida;Y. Nagai
