负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
物理学报
影响因子:
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通讯作者:
Chang Ben-Kang
Chang Ben-Kang
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
杜晓晴;乔建良;常本康;Du Xiao-Qing;Gao Pin;田思;Tian Si;高频;Qiao Jian-Liang;Chang Ben-Kang

文献摘要

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