Temperature dependence of the dielectric function and interband critical points of AlAs obtained on an MBE grown layer
Temperature dependence of the dielectric function and interband critical points of AlAs obtained on an MBE grown layer
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MBE 生长层上获得的 AlAs 的介电函数和带间临界点的温度依赖性
DOI：
10.1016/0040-6090(93)90072-w
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
K. Ploog
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Garriga;M. Kelly;K. Ploog
