Si(111)-√7×√3-In 表面における静電遮蔽効果の STM 観測
Si(111)-√7×√3-In 表面における静電遮蔽効果の STM 観測
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Si(111)-√7×√3-In表面静电屏蔽效应的STM观察
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
内橋 隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉澤 俊介;鷺坂 恵介;藤田 大介;内橋 隆
