A 23pW, 780ppm/°C resistor-less current reference using subthreshold MOSFETs
A 23pW, 780ppm/°C resistor-less current reference using subthreshold MOSFETs
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使用亚阈值 MOSFET 的 23pW、780ppm/°C 无电阻电流基准
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Sylvester
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Myungjoon Choi;Inhee Lee;Taekwang Jang;D. Blaauw;D. Sylvester
本文提出了一种仅限SONET的20 pA、780 ppm/°C基准电流源，功耗为23 pW。超低功耗电路利用亚阈值偏置MOSFET和绝对温度互补（CTAT）栅极电压来补偿温度依赖性。该设计具有0.58%/V的低电源电压灵敏度和0.25%/V的负载灵敏度。
This paper proposes a MOSFET-only, 20pA, 780ppm/°C current reference that consumes 23pW. The ultra-low power circuit exploits subthreshold-biased MOSFETs and a complementary-to-absolute temperature (CTAT) gate voltage to compensate for temperature dependency. The design shows low supply voltage sensitivity of 0.58%/V and a load sensitivity of 0.25%/V.