Correlation between dislocation etch pits and optical absorption in CdGeAs2
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.04.116
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发表时间：
2004-09
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Nagashio;A. Watcharapasorn;K. Zawilski;R. DeMattei;R. Feigelson;L. Bai;N. Giles;L. Halliburton;P. Schunemann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nagashio;A. Watcharapasorn;K. Zawilski;R. DeMattei;R. Feigelson;L. Bai;N. Giles;L. Halliburton;P. Schunemann
